+
Загрузка...
0
0

₽ 41 835

Доступно: 298


Накопитель Samsung SSD 9100 PRO – это флагманский SSD формата M.2, созданный для профессионалов и геймеров, которым важна максимальная скорость и надежность. Благодаря поддержке PCIe 5.0 x4 и NVMe 2.0 он обеспечивает рекордные показатели чтения/записи, что делает его идеальным выбором для работы с ресурсоемкими приложениями, 4K-редактирования и современных игр.

Невероятная скорость передачи данных

С интерфейсом PCIe 5.0 x4 и скоростями до 14 700 МБ/с при чтении и 13 400 МБ/с при записи SSD 9100 PRO значительно превосходит предыдущие поколения накопителей. Это позволяет мгновенно загружать большие файлы, сокращать время рендеринга и обеспечивать плавную работу в многозадачных сценариях.

Высокая производительность при работе с мелкими файлами

Благодаря рекордным показателям IOPS (1 850 000 при чтении и 2 600 000 при записи) накопитель демонстрирует исключительную отзывчивость в задачах, связанных с обработкой множества мелких файлов, таких как базы данных, виртуализация и профессиональное программирование.

Надежность и долговечность

С технологией V-NAND TLC и ресурсом записи 1200 TBW (терабайт записи) SSD 9100 PRO рассчитан на интенсивное использование. Параметр DWPD 0.3 (Drive Writes Per Day) подтверждает, что накопитель выдержит многолетнюю эксплуатацию даже при высокой нагрузке.

Энергоэффективность и охлаждение

Несмотря на высокую производительность, SSD 9100 PRO оптимизирован для минимального энергопотребления. В комплекте может поставляться радиатор, который предотвращает перегрев и поддерживает стабильную работу даже при длительных нагрузках.

Универсальность и совместимость

Форм-фактор M.2 2280 и поддержка NVMe 2.0 обеспечивают совместимость с современными материнскими платами и ноутбуками. Накопитель идеально подходит для сборок высокопроизводительных ПК, рабочих станций и игровых систем.


Назначение Клиентские ПК
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe 5.0 x4
Ёмкость накопителя 2000
Тип памяти V-NAND
Скорость последовательного чтения 14700
Скорость последовательной записи 13400
Средняя наработка на отказ 1500000
TBW твердотельного накопителя 1200
Модель Samsung 9100 PRO
DRAM буфер 1
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 1850000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 2600000
Особенности расширенный температурный диапазон