Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0BW

Доступно: 3

+ -

	Форм-фактор	M.2 2280
	Интерфейс	PCIe 5.0 x4
	Ёмкость накопителя	4000
	Средняя наработка на отказ	1500000
	Назначение	Клиентские ПК
	Модель	Samsung 9100 PRO
	Тип памяти	V-NAND
	DRAM буфер	1
	Скорость последовательного чтения	14800
	Скорость последовательной записи	13400
	Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)	2200000
	Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)	2600000
	TBW твердотельного накопителя	2400
	Особенности	расширенный температурный диапазон